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MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測裝置
| 型 號： | |
| 報 價： | 20000 |
MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測裝置絕緣子良好的憎水性可以很好的防止污閃，減少事故發(fā)生。所謂憎水性是指絕緣子表面不易受潮，吸附的水分以不連續(xù)的孤立小水珠的形式存在，不形成連續(xù)水膜，從而限制了表面泄漏電流，提高閃絡(luò)電壓。
詳細(xì)資料：
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
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MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測裝置
絕緣子良好的憎水性可以很好的防止污閃，減少事故發(fā)生。所謂憎水性是指絕緣子表面不易受潮，吸附的水分以不連續(xù)的孤立小水珠的形式存在，不形成連續(xù)水膜，從而限制了表面泄漏電流，提高閃絡(luò)電壓。憎水性等級較差的絕緣子在運(yùn)行中極易發(fā)生沿面閃絡(luò),造成污閃。污閃事故往往造成大面積、長時間停電,導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)受到嚴(yán)重?fù)p失，因此復(fù)合絕緣子在出廠前必須進(jìn)行憎水性等級評價。
復(fù)合絕緣子憎水性實驗室評價系統(tǒng)是基于IEC推薦的由瑞典輸配電研究所（STRI）提出的憎水性檢測技術(shù)噴水分級法，按照電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（DL/T 864-2004，GB24622-2009）中對噴水分級法的規(guī)定，對絕緣子傘裙進(jìn)行*定量噴灑水霧；拍攝被測絕緣子表面高清憎水圖片；并由憎水性分析軟件進(jìn)行分析；軟件基于*數(shù)字圖像處理技術(shù)，通過提取憎水性圖片的信息熵、種子率、頻譜幅值等信息，計算水珠或水跡的形狀因子和面積百分比，對復(fù)合絕緣子的憎水性狀態(tài)進(jìn)行客觀判斷，zui終按照DL/T810-2012中對憎水性的等級特征描述，確定絕緣子憎水性級別。
MC-HS864復(fù)合絕緣子憎水性實驗室評價系統(tǒng)主要由檢測機(jī)柜裝置和系統(tǒng)分析操作臺兩大機(jī)構(gòu)組成，其中機(jī)柜內(nèi)由絕緣子懸掛機(jī)件、電動噴水、圖像拍攝裝置、除濕風(fēng)扇、引流托盤、儲水瓶、溫濕度測量模塊組成；操作臺由工控機(jī)、液晶顯示器、鍵盤、鼠標(biāo)、控制按鈕組成（如下圖）；工控機(jī)內(nèi)裝有圖像取照軟件、憎水性分析軟件，默認(rèn)為開機(jī)運(yùn)行。
MC-HS864絕緣子憎水性帶電檢測裝置
2.1 基本工作方法
（1）采用噴水分級法（即HC法）輔助以靜態(tài)接觸角法（即CA法）
（2）工作人員把待測絕緣子掛入試驗機(jī)柜。
（3）先對待測傘裙進(jìn)行定量噴灑水霧，然后用設(shè)備上的相機(jī)對噴水后的絕緣子進(jìn)行拍照保存。
（4）將拍攝存儲到電腦上的憎水性圖像導(dǎo)入憎水性分析軟件中，進(jìn)行判斷絕緣子的憎水等級。
2.2 憎水性等級分級方法
噴水分級法將絕緣子表面憎水性分為HC1-HC7 七個等級，HC1級對應(yīng)憎水性的狀態(tài)，HC7則對應(yīng)*親水性的表面。本裝置采用如下所述的兩種方法來對絕緣子表面的憎水性狀態(tài)進(jìn)行分級。
（1）圖像對比法
將現(xiàn)場獲得的絕緣子憎水圖像同圖1-1所示的標(biāo)準(zhǔn)圖像進(jìn)行對比，通過分析待測圖像與各標(biāo)準(zhǔn)圖像的相似性并參考表2-1所示的各HC等級的特征描述來進(jìn)行分級。
表1 不同憎水性等級的圖像特征描述（注：θr接觸角）
HC值 | 絕 緣 子 表 面 水 滴 的 狀 態(tài) |
1 | 僅形成分離的水珠，大部分水珠θr≥80° |
2 | 僅形成分離的水珠，大部分水珠50°<θr<80° |
3 | 僅形成分離的水珠，水珠一般不再是圓的，大部分水珠20°<θr≤50° |
4 | 同時存在分離的水珠和水膜（θr＝0°），總的水膜覆蓋面積<被測面積的90％，zui大的水膜面積<2cm2 |
5 | 總的水膜覆蓋面積<被測面積的90％，zui大的水膜面積>2cm2 |
6 | 總的水膜覆蓋面積>被測面積的90％，有少量的干燥區(qū)域（點或狹窄帶） |
7 | 全部試驗面積上覆蓋了連續(xù)的水膜 |
（2）改進(jìn)形狀因子法
通過計算絕緣子憎水圖像中的zui大水珠（或zui大水膜）的面積比K和形狀因子fc，并依據(jù)表2-1所示判據(jù)來進(jìn)行分級。面積比K的計算公式為：
（2－1）式中，zui大水珠（水跡）的面積和圖像總面積的單位均為像素。形狀因子fc由計算公式得到。
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